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索尼革命性拍照黑科技把内存塞进CMOS

标签:索尼,革命,革命性,拍照,科技,内存,塞进  2017-2-8 10:12:45  预览次

  尽管近段时间索尼忙于月尾的MWC 2017,但这好像并不影响索尼偶尔刷刷黑科技的风俗。近日,索尼推出了一款划时代的传感器产品——全球首款三层堆叠式CMOS传感器。据了解,索尼这种三层堆叠式传感器基于目前CMOS传感器进行改进,在像素层和旌旗灯号处理电路层之间又增长了一层DRAM。

本文引用地址:http://www.esouou.com/eepw.com7843/article/201702/343725.htm

新一代CMOS传感器原理

新一代CMOS传感器原理  

技术介绍称,大容量低功耗DRAM的加入可以让传感器获得高速读取的能力,从而拍摄快速移动物体时能够更加自在,有用削减拍摄时所产生的焦平面失真征象,使得抓拍、慢动作都会更加简单。并且这种三层堆叠式DRAM CMOS传感器能够延续读取120张193万像素的静态图片(比传统的进步了4倍),还可以用1000fps的帧率拍摄1080p视频,实现超慢回放。

超慢回放动作拍摄

超慢回放动作拍摄  

信赖这项技术很快就会用在智能手机上,大家不妨期待一下它又将为手机相机带来一场新的革命。



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